একটি Ge Junction ডায়োডে টার্ন-অন (Turn-on) ভোল্টেজ কত?

একটি PN জংশন ডায়োডের মধ্য দিয়ে কারেন্ট প্রবাহিত হতে শুরু করার জন্য একটি নির্দিষ্ট ন্যূনতম ফরোয়ার্ড বায়াস ভোল্টেজ (Forward Bias Voltage) প্রয়োজন হয়। এই ভোল্টেজকে টার্ন-অন (Turn-on) ভোল্টেজ বা কাট-ইন (Cut-in) ভোল্টেজ অথবা থ্রেশহোল্ড (Threshold) ভোল্টেজ বলা হয়। এই ভোল্টেজের নিচে ডায়োড উল্লেখযোগ্যভাবে কারেন্ট পরিবহন করে না।

বিভিন্ন সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের জন্য এই টার্ন-অন ভোল্টেজ ভিন্ন হয়।

    
• সিলিকন (Silicon - Si) ডায়োডের জন্য টার্ন-অন ভোল্টেজ প্রায় \(০.৭\) ভোল্ট।
    
• জার্মেনিয়াম (Germanium - Ge) ডায়োডের জন্য টার্ন-অন ভোল্টেজ প্রায় \(০.৩\) ভোল্ট।

এই পার্থক্যের কারণ হলো সিলিকন ও জার্মেনিয়ামের ভিন্ন এনার্জি ব্যান্ডগ্যাপ (Energy Bandgap)। জার্মেনিয়ামের ব্যান্ডগ্যাপ সিলিকনের চেয়ে ছোট, যার ফলে p-n জংশনের পটেনশিয়াল ব্যারিয়ার (Potential Barrier) অতিক্রম করার জন্য কম ভোল্টেজ প্রয়োজন হয়।

সুতরাং, একটি Ge জংশন ডায়োডের টার্ন-অন ভোল্টেজ হলো \(০.৩\) ভোল্ট।

অন্যান্য অপশনগুলো:

    
• \(০.৭\) ভোল্ট সাধারণত সিলিকন ডায়োডের টার্ন-অন ভোল্টেজ।
    
• \(১.০\) ভোল্ট সাধারণত আদর্শ ডায়োডের জন্য অনেক বেশি।
    
• \(০.১\) ভোল্ট আদর্শ Ge ডায়োডের জন্য খুব কম, যদিও কিছু বিশেষ লো-ভোল্টেজ ডায়োড বা Schottky ডায়োডের ক্ষেত্রে এমন মান দেখা যেতে পারে।